SKU : BD681
หมวดหมู่ : >> อุปกรณ์ไฟฟ้าและอิเล็กทรอนิกส์ ,  ทรานซิสเตอร์ , 
Share
BD681 Key Features
Collector–Emitter Breakdown Voltage— : V(BR)CEO = 100V
DC Current Gain— : hFE = 750(Min) @ IC= 1.5 A
Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation
Type Designator: BD681
Material of Transistor: Si
Polarity: NPN
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 5 V