ทรานซิสเตอร์ เบอร์ BD681

คุณสมบัติสินค้า:

SKU : BD681

Share

 

BD681 Key Features


Collector–Emitter Breakdown Voltage— : V(BR)CEO = 100V
DC Current Gain— : hFE = 750(Min) @ IC= 1.5 A
Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation
Type Designator: BD681
Material of Transistor: Si
Polarity: NPN
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 5 V

Powered by MakeWebEasy.com
เว็บไซต์นี้มีการใช้งานคุกกี้ เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพและประสบการณ์ที่ดีในการใช้งานเว็บไซต์ของท่าน ท่านสามารถอ่านรายละเอียดเพิ่มเติมได้ที่ นโยบายความเป็นส่วนตัว  และ  นโยบายคุกกี้